N-フルオロピリジニウム塩を用いたパターニングレスSi陽極化成深堀加工

抄録

Si表面にN-フルオロピリジニウム塩を塗布し、加熱すると、塗布した部分にランダム逆ピラミッドを形成できる。また、Siの電気化学的エッチングである陽極化成法は、あらかじめ作製したエッチピットの先端でエッチングが進行し、深掘加工を実現できる。本研究では、N-フルオロピリジニウム塩を用いてSi表面にランダム逆ピラミッドを作製し、さらに陽極化成を行うことによりトレンチ構造を作製した。