大気圧プラズマ処理のフォトダイオード暗電流特性への影響

抄録

大気圧プラズマは、半導体レーザやフォトダイオードのAu-Au低温接合のための表面活性化処理に用いられている。本研究では、フリップチップ実装タイプのInGaAsフォトダイオードチップにアルゴン／酸素およびアルゴン／水素ガスを用いた大気圧プラズマを照射し、照射前後における暗電流変化を調べた。アルゴン／酸素ガスを用いた大気圧プラズマ処理では、暗電流の上昇が観察された。