金属転写用微細高アスペクト比モールドの作製

抄録

近年、タブレット端末、カーナビ等のタッチパネルのタッチパネルとして静電容量方式が利用されている。静電容量方式には導電性と透明性を兼ねた透明電極膜が必要とされるが、高い導電性および透明性の透明電極作製のためには微細かつ高アスペクト比のモールド作製が望まれる。そこで本研究では、EBLにより微細パターンの描画を行い、ドライエッチングによるパターンの掘り込みを行って微細高アスペクト比モールドを作製した。