大気圧プラズマCVDによるSiおよびSiO_xの高速成膜とTFTの作製・評価

抄録

SiやSiO_x等の機能薄膜は薄膜トランジスタなど（TFT）などの様々な薄膜デバイスの材料として必要不可欠である。本研究では，150MHzの超高周波電力で励起した大気圧プラズマを用いたアモルファスSi（α-Si）、微結晶Si（μc-Si）、SiO_xの低温・高速成膜技術を開発している。本発表では作製したSiおよびSiO_x薄膜の評価とそれを用いたボトムゲート型TFTの特性に関する結果を報告する。