フェムト秒レーザーを用いた半導体ウェハ表面のコヒーレントフォノン励起加工に関する研究（第3報）

表面励起効果の検討

抄録

筆者らは，フェムト秒レーザーによる表面励起加工に関する研究を遂行しており，表面励起の効果を確認するため，ダブルパルスビームを用いた表面励起加工基礎実験を行っている．本報では，半導体表面の光吸収率に関して，表面励起の効果を調べた結果について報告する．