先端的難加工基板の高効率精密加工法の研究（第6報） fsレーザ照射による疑似ラジカル場形成基板表面のCMP研磨特性

黒河 周平; 王 成武; 土肥 俊郎; 佐野 泰久; 會田 英雄; 大山 幸希; 林 照剛; 吹春 昇

doi:10.11522/pscjspe.2016S.0_359

2016年度精密工学会春季大会

セッションID: E68

DOI https://doi.org/10.11522/pscjspe.2016S.0_359

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主催: 公益社団法人精密工学会

先端的難加工基板の高効率精密加工法の研究（第6報）

fsレーザ照射による疑似ラジカル場形成基板表面のCMP研磨特性

*黒河周平, 王成武, 土肥俊郎, 佐野泰久, 會田英雄, 大山幸希, 林照剛, 吹春昇

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キーワード: フェムト秒レーザ, CMP, 難加工, SiC

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抄録

半導体用難加工基板の革新的加工プロセスの確立を目的として，基板の前処理行程としての疑似ラジカル場形成に関して，単結晶SiC基板を加工対象として，フェムト秒(fs)レーザを基板表面に照射することで，加工表面の極表層に微小欠陥種（疑似ラジカル場）を形成するための基礎検討を行った．また，レーザ照射SiC基板にCMPを施すことで，その研磨特性，特に表面粗さ改善の時間的推移について調査したので，その結果を報告する．

責任著者(Corresponding author)

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