光電気化学酸化を援用した触媒表面基準エッチング法による炭化ケイ素の高能率平坦化

稲田 辰昭; 礒橋 藍; 佐野 泰久; 山内 和人

doi:10.11522/pscjspe.2016S.0_363

2016年度精密工学会春季大会

セッションID: E73

DOI https://doi.org/10.11522/pscjspe.2016S.0_363

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主催: 公益社団法人精密工学会

光電気化学酸化を援用した触媒表面基準エッチング法による炭化ケイ素の高能率平坦化

*稲田辰昭, 礒橋藍, 佐野泰久, 山内和人

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キーワード: 平坦化, 炭化ケイ素, SiC, 光電気化学酸化, 触媒表面基準エッチング法, CARE

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抄録

我々は炭化ケイ素 (SiC) 基板を化学的に平坦化する新たな加工法として，触媒表面基準エッチング (Catalyst-Referred Etching; CARE) 法を開発した．本手法では，触媒として白金，加工液として純水を用いることでステップテラス構造を有する平坦面の作製を実現している．しかし単結晶基板に対する加工速度は数nm/hとなっており向上が求められる．本報では，加工速度向上のため紫外光照射による光電気化学酸化の援用効果について調査した結果について報告する．

責任著者(Corresponding author)

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