プラズマエッチングによる基板の基準面加工法の開発

抄録

SiCやGaN、ダイヤモンドといった次世代半導体基板の実用化のために、これらの材料の高能率平坦化加工が求められている。高能率加工法として大気圧プラズマを用いたプラズマCVMが知られているが、この加工法では平坦化の作用はない。そこで我々は、Fラジカルを基準面となる平板に吸着させ試料表面まで輸送することで試料を平坦化する新しい加工法を考案した。本発表では、本方法の概念および基礎実験結果について報告する。