プラズマ援用研磨法の開発（第16報） 砥石の表面性状とGaNの研磨レートの相関

蔭山 千華; トウ 輝; 遠藤 勝義; 山村 和也

doi:10.11522/pscjspe.2016S.0_849

2016年度精密工学会春季大会

セッションID: O36

DOI https://doi.org/10.11522/pscjspe.2016S.0_849

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主催: 公益社団法人精密工学会

プラズマ援用研磨法の開発（第16報）

砥石の表面性状とGaNの研磨レートの相関

*蔭山千華, トウ輝, 遠藤勝義, 山村和也

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キーワード: GaN, SiC, プラズマ, 研磨

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抄録

我々は，パワーデバイス半導体材料であるSiC，GaNに対してプラズマ援用研磨法を用いたCMPに代替する高能率な研磨手法の開発を目指している．現在，ウエハ用研磨装置を試作し，その基礎加工特性を評価している．本装置ではレジノイド砥石を用いてスラリーレスのドライ研磨をおこなっているが，研磨レートは砥石の表面性状に大きく依存する．本報では，GaNに対して砥石の表面性状と研磨レートの相関を検証した結果を報告する．

責任著者(Corresponding author)

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