活性ガス内包ナノバブル添加スラリー供給装置の開発とそれによるSiC基板の高能率CMPの試み

水内 伸哉; 畝田 道雄; 澁谷 和孝; 中村 由夫; 市川 大造; 石川 憲一

doi:10.11522/pscjspe.2017A.0_11

2017年度精密工学会秋季大会

セッションID: A07

DOI https://doi.org/10.11522/pscjspe.2017A.0_11

会議情報

主催: 公益社団法人精密工学会

会議名: 2017年度精密工学会秋季大会

開催地: 大阪大学

開催日: 2017/09/20 - 2017/09/22

活性ガス内包ナノバブル添加スラリー供給装置の開発とそれによるSiC基板の高能率CMPの試み

*水内伸哉, 畝田道雄, 澁谷和孝, 中村由夫, 市川大造, 石川憲一

著者情報

キーワード: CMP, 研磨レート, 活性ガススラリー, ナノバブル, SiC

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抄録

次世代のパワーデバイス基板材料としてSiCは期待されているが，高硬度で且つ化学的に安定した材料であることから，CMPにおける極めて低い研磨能率が課題である．本研究ではプラズマにより活性化したガスを内包したナノバブルをスラリー中に添加する装置を開発するとともに，それによるSiC基板の高研磨能率を目指す．さらに，研磨条件が活性ガス及びナノバブルに与える効果を評価し，さらなる高能率CMP手法を試みる．

責任著者(Corresponding author)

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