室温プラズマ酸化を援用したグラフェン/SiC構造の形成に関する研究

プラズマ酸化を経たSiC表面上のC堆積層の組成分析と膜厚制御

抄録

SiCのSi昇華法により形成するグラフェンには、昇温中のSiの不均一な脱離により、欠陥が含まれることが知られている。我々は以前に、プラズマプロセスを援用することにより、ピット密度の低いグラフェンが形成できることを見出した。本研究では、低ピット密度グラフェンの鍵となるSiC表面上のC堆積層の組成分析をするとともに、プラズマの時間、雰囲気を制御することにより、膜厚の制御を試みた。