Siの大気圧プラズマCVDプロセスにおける投入電力のパルス変調の効果

寺脇 功士; 前川 健史; 大参 宏昌; 垣内 弘章; 安武 潔

doi:10.11522/pscjspe.2017A.0_463

2017年度精密工学会秋季大会

セッションID: G20

DOI https://doi.org/10.11522/pscjspe.2017A.0_463

会議情報

主催: 公益社団法人精密工学会

会議名: 2017年度精密工学会秋季大会

開催地: 大阪大学

開催日: 2017/09/20 - 2017/09/22

Siの大気圧プラズマCVDプロセスにおける投入電力のパルス変調の効果

*寺脇功士, 前川健史, 大参宏昌, 垣内弘章, 安武潔

著者情報

キーワード: シリコン, 大気圧プラズマ, 薄膜トランジスタ, 成膜

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抄録

Siの機能薄膜は薄膜トランジスタ(TFT)などの様々な薄膜デバイスの材料として必要不可欠である. 本研究では, 150MHzの超高周波電力で励起した大気圧プラズマを用いたアモルファスSi(α-Si)および微結晶Si(μ-Si)の低温成膜技術を開発している. 本発表ではプラズマへの投入電力のパルス変調がSi成膜プロセスについて及ぼす効果について検討した.

責任著者(Corresponding author)

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