水中でのGe表面のグラフェンアシストエッチングに関する研究

還元グラフェンシートのナノスケールSTM観察

抄録

我々は、水中でグラフェンシートと接触したGe表面が選択的にエッチングされる現象を見出した。しかし、半導体表面創成プロセスに展開するためには、エッチング速度の向上が不可欠である。これを実現するための手法の一つとして、グラフェンシートの構造制御が挙げられる。そこで今回は、実験で用いている還元グラフェンシートの構造を走査型トンネル顕微鏡（STM）により、ナノスケール領域で観察した結果について、報告する。