サブ大気圧プラズマを用いたSiC基板の高能率裏面薄化における加工速度の面内均一性

抄録

SiCデバイス製造時の裏面薄化工程においてサブ大気圧プラズマを用いたプラズマエッチング法を検討している。現在、数kPa程度まで減圧にすることで分子1個当たりに与えられるエネルギーが増加した結果、SF₆濃度100%の条件でも安定したプラズマ加工が実現し、2インチSiCウエハ全面薄化加工速度15.2 μm/minを達成した。実用化に向けて加工後の厚さの均一性が要求されるため、本研究では加工速度の面内均一性について検討する。