水素プラズマ援用輸送法による銅薄膜の形成と評価

抄録

LSIの銅配線用の銅薄膜は、PVD法とメッキ法のドライウェット環境が並立した多段階プロセスにより形成されている。我々は、高価、危険な前駆体ガスを用いることなく金属薄膜の化学気相成膜を実現するため、無毒・廉価な水素を主体とした高圧プラズマによって誘起される輸送現象を用いた新たな金属膜形成プロセスを提案している。今回は、銅を対象として提案する手法を実証し、得られた銅膜の特性を調べたので、その結果を報告する。