難加工材である単結晶SiCウェハのスライシングコストの低減と生産率を向上させるために、マルチワイヤ放電スライシング法が開発されている。本研究では、低カーフロス・高精度・高速放電スライシングの実現を目指し、ワイヤ電極より薄い箔電極を用いマルチ箔放電スライシングを試みた。機械的に断線しにくい極薄の箔を用いることによりカーフロスの低減が期待される。また、静電誘導給電を利用することで、複数枚の箔電極に並列放電を生じさせ、加工速度と加工精度の向上が実現できる。本論文はこれらの内容及び実験結果について報告する。
