絶縁膜／半導体構造への水分子吸着量が界面電気特性に与える影響の解明

表面処理一体型・電気特性測定装置の試作

抄録

Geは次世代の高移動度半導体基板として期待されている。優れた界面特性を示すGeO₂/Ge構造は、大気暴露による電気特性の劣化が危惧されている一方で、その詳細な機構は解明されていない。本研究では、精密に制御された湿度雰囲気下にGeO₂/Ge構造を暴露し、その後に電極の作製、電気特性の測定までを超高真空中で一貫して行える装置を試作し、その基礎特性を調査した。