透過性パルスレーザによるSi単結晶内部改質部のウエットエッチング加工特性

抄録

現在シリコンセンサチップのウエットエッチングには高濃度エッチング液を使用しているため安全性の向上、環境負荷の軽減を目的に低濃度でのウエットエッチングの研究が行われている．しかしエッチング速度が遅くばらつくことが課題である．近年、ステルスダイシングなどSi単結晶内部にレーザ改質部をつくる技術が進展している．今回レーザ改質部をつくり、その部分のエッチング加工特性を定量的に詳細に調査した結果、レーザ改質部のエッチング速度が上昇することが明らかになったので報告をする．