UV-NIL後に電子ビーム露光可能なレジスト材料の電子ビーム描画特性

抄録

本研究では紫外線によるナノインプリントリソグラフィ(UV-NIL)後に電子ビーム露光ができるレジスト材料について電子ビーム描画特性を調べた。この調査はハイブリッドパタンを形成するうえで重要である。実験は、UV-NIL時の紫外線照射時間と電子線のDose量を変化させることで特性評価を行った。その結果、設計値 60 nm で電子ビーム描画したパターンが、現像後 290 nm の微細線が得られた。