Agナノワイヤを触媒とした化学加工による微傾斜Si表面上へのナノ溝形成

抄録

我々は、水素終端化されたSi原子層シートの作製を目指している。今回は、微傾斜Si(111)表面のステップ／テラス構造のエッジ部にAgナノワイヤを形成し、これを触媒的に援用した化学エッチングを試みた。Ag粒子の直下のみが選択的にエッチングされ、ミシン目状のナノ溝構造（深さ約2nm、幅約10nm）の形成を確認し、その局所構造を調査した。以上より、異なる原子層厚のSiシートを分離する手法の目途をつけた。