高密度中圧プラズマを用いた極薄シリコンウエハ用ゲッタリング層の形成とその特性評価

抄録

TSVを利用した三次元大規模集積回路の高密度化に向け、機械的強度とゲッタリング性能を両立する極薄Siウエハの作製技術が必要とされている。これに対し、我々は、高圧水素プラズマを用いた低環境負荷型のSiウエハ薄化法を提案し、その可能性を実証してきた。今回、高密度水素プラズマによる欠陥導入挙動を詳らかにし、プラズマによる極薄欠陥層のソフト形成と形成欠陥層のゲッタリング性能を実証した、その結果を報告する。