テトラメチルシラン（TMS）を用いた大気圧PECVD法によるSiの低温成膜法の研究

抄録

我々は超高周波大気圧プラズマCVDを用いた高機能なSi薄膜の低温形成を研究している。現在Si膜の形成にはモノシラン（SiH₄）が用いられているため、真空排気系が必須な複雑なプロセスとなる。そこでモノシランの代替材料として有機Si原料であるテトラメチルシラン（Si(CH₃)₄）を用いた。本研究では含有C濃度が十分に低いSi薄膜の形成に向けて水素混合比と投入電力による原料ガスの比エネルギーが炭素含有量に及ぼす影響を議論した。