主催: 公益社団法人精密工学会
会議名: 2023年度精密工学会春季大会
開催地: 東京理科大学
開催日: 2023/03/14 - 2023/03/16
p. 771
炭化ケイ素(SiC)は高いバンドギャップや絶縁破壊強度からシリコンに代わる半導体として注目されている.一方で,SiCの機械的強度の高さや化学的安定性から平滑化に膨大な時間が必要である.従来の研究では酸化力の高い薬液を使用し表面の酸化を行うが,本研究では電流を印加した際に高い酸化力のヒドロキシラジカルを発生させる高分子電解質を利用し,不織布に強固に固定することで耐久性の高い電解質パッドを作製し平滑化を行った.