H₂/O₂/Heを用いた大気圧プラズマによる窒化ガリウムのエッチングにおける加工速度の高速化

抄録

脱炭素社会の実現に向けて、炭化ケイ素や窒化ガリウム（GaN）などのワイドバンドギャップ半導体が注目されている。しかし、GaNは難加工材料であり、高速加工が困難である。そこで、大気圧プラズマを用いたプラズマ化学気化加工（PCVM）を用いることを提案し、H₂/O₂/Heガスを用いることで2.7 µm/minの高い加工速度を実現してきた。本研究では加工速度における基板温度とRF電力の影響について調査し、95 µm/minの高速加工が可能であることが分かった。