スパッタTi薄膜の成長におよぼす低エネルギイオン衝撃の影響

抄録

室温でのスパッタ金属膜の成長様式はAr圧に依存しており、高Ar圧ほどZone 1様の粗な薄膜が成長しやすい。基板へのイオン流束を増加させるとZone T様の緻密な薄膜が成長するAr圧の条件が広がるが、Ar圧1.0Paではイオン流束を増加させても成長形態は大きく変化しなかった。本研究では、この原因について基板に降り注ぐイオンのエネルギに着目して検討した。