レーザ後方散乱光に基づくガラスマイクロクラック計測のための３次元電磁場解析

抄録

ガラスレンズの研削加工時に形成されるマイクロクラックの除去に必要な研磨量を求めるために，任意方向に進展するクラック深さを計測する必要がある．レーザ後方散乱光が遠方場に形成するパターンがクラック深さに依存することがわかっている．パターンから深さに加えて進展方向も計測する方法を検討するために，3次元電磁場解析を行った．本報では，パターンが形成される方向から進展方向が計測可能であることを明らかにした．