光電気化学酸化反応を用いた不純物濃度分布を有するGaN(0001)基板の高能率平滑化加工

抄録

砥粒や酸化剤を用いないGaN基板の新たな高速研磨法として紫外光照射による光電気化学（PEC）酸化反応を利用したPEC酸化援用触媒表面基準エッチング法を提案している．本法を用いることで原子スケールでの平滑化を達成できる一方，基板面内の不純物濃度分布に依存して加工量ムラが発生し，表面粗さが悪化する場合がある。本研究ではGaN基板にバイアス電圧を印加し酸化速度を調整することで，加工量ムラの抑制を実現した．