水酸化フラーレンを用いたSiCウェハの高効率研磨に関する研究

抄録

SiCは高性能パワー半導体材料として期待されているが、高硬度かつ化学的に安定なため加工が困難である．コロイダルシリカを用いたSiC-CMPには多くの時間を要する．一方，ダイヤモンド砥粒を用いることで高効率な研磨が可能だが，基板表面に多くの欠陥や転移を発生させてしまう．本研究では水酸化フラーレンを用いてシリカとダイヤモンドの効果を高め，高効率研磨と平滑面の両立を試みたので，その結果を報告する．