化学研磨 vs. CMP: 研磨後の表面マイクロラフネスの周波数依存性比較

抄録

CMPおよび化学研磨処理後の表面マイクロラフネスの周波数依存性を比較したところ、CMPと比較して化学研磨による短波長ラフネスの除去性能は遜色ない事を見出した。化学研磨は薬液による研磨である事から複雑形状への適用が可能である。半導体製造装置のウルトラクリーン化に向けて複雑形状の高精度加工要求がますます高まっており、当該分野への適用優位性が高い事を表面解析の観点から明らかにした。