1a-4 極薄シリコン酸化膜における経時絶縁膜劣化(弟7回信頼性シンポジウム)

抄録

極薄シリコン酸化膜では、経時絶縁膜破壊(TDDB)や、ストレス印加後の酸化膜中の捕獲電荷、Si/SiO2界面準位の発生による影響よりも、ストレス印加後に低電界側で顕著に現れるリーク電流の増加が深刻な誘電体膜信頼性の課題となる。このストレス誘起リーク電流(SILC)の有効なウェハレベル信頼性評価方法として、ストレス電界と測定電界を独立にした経時絶縁膜リーク(TDDL)特性から得られる経時絶縁膜劣化(TDDD)評価法の提案を行う。