抄録
半導体製品の信頼性を保証する為に行われる温度電圧加速試験を行うバーンイン工程は,パッケージに封入された製品に対し行われる事が主流であった.しかし製品のパッケージが多様化し,多ピン化,端子間隔の縮小などによってICソケットにもこれまで以上の微細構造が要求され,高価なICソケットが必要になっている.この為,ICソケット価格がバーンイン・コストを圧迫する状況になり,パッケージ・バーンインの見直しに迫られる製品が増えてきた.また,KGD(Know Good Device)やMCP(Multi Chip Package)などこれまでのバーンインが難しい新しい形態の製品も多くなっている.KGDは,パッケージ化されていないICチップを販売する為,ICソケットでのバーンインの実施が難しい.MCPでは,複数のICチップを一つのパッケージに封入する為,一つのチップが不良になっただけで,複数のチップを不良品として扱わなくてはならなくなり,経済的な問題が発生してしまう.この様な背景から,ウェーハ状態でのバーンインを行うウェーハ・レベル・バーンインが数年前から注目され始めている.
