本稿では, 強誘電体メモリ(FeRAM)のデータ保持性能に重大な影響を与えるインプリント特性の最新の解析結果と推定される物理的メカニズム, およびこの問題を克服するための新規プロセス技術によるFeRAMの信頼性向上について述べる.インプリントの経時変化と温度依存性の2モード挙動の解析から, 背後にある物理的メカニズムには酸素空孔移動と電子移動とが同時に関与することが明らかとなった.水素バリア完全被覆技術により強誘電体材料の水素還元を排除し, これらの可動性電荷の発生を抑制することによって, 125℃1000時間という優れたデータ保持性能を実現した.
