半導体産業のクリーニング工程で使用されている三フッ化塩素（CIF3）と各種可燃性ガス混合気の燃焼限界を実験的に検討した．可燃性ガスとしてはオルトケイ酸テトラエチル（TEOS＝Si（OC2H5）4）， アンモニア（NH3），水素（H2）およびメタン（CH4）を取り上げた．おのおののガスは希釈容器で窒素（N2）により希釈して使用した．TEOSとNH3の場合はCIF3を導入すると同時に自然発火すること がわかった、また，H2とCH4はCIF3と混合し，電気火花で点火した．それぞれの混合気に対して自然発火あるいは点火により燃焼する濃度範囲が明らかになった．また，CIF3と各可燃性ガスの反応機構 についても検討した，
