抄録
窒化物半導体 LED（Light emitting diode）の特性向上において、発光層である InGaN 層の局所構造を把握することは重要であり、このうち In 原子の局所構造の解析は蛍光 XAFS（X-ray absorption fine structure）法によって進められてきた。一方、InGaN 層中の Ga 原子は初期成長層である GaN バッファー層中の Ga 原子に起因する蛍光Ｘ線の影響が非常に大きく、通常の蛍光 XAFS 法で InGaN 層中の Ga 原子の XAFS 解析を行うことは困難であった。そこで今回 InGaN 層の Bragg 反射に対して DAFS（Diffraction anomalous fine structure）法を適用することにより、InGaN 層中の Ga 原子の単独での局所構造解析を試みたので報告する。
