Ｘ線ナノビームによる11‾00回折を利用した GaN ナノワイヤ側面上 Ga_1-xIn_xN/GaN 三重量子井戸の構造評価

抄録

　高さ 1 μm 太さ 350 nm 程度の六角柱形状の窒化物ナノワイヤ側面に成長した Ga_1-xIn_xN/GaN 三重量子井戸（Ga_1-xIn_xN/GaN 三重量子殻）に対して、SPring-8 のＸ線ナノビームを用いた 1100 回折の逆格子マッピング測定を行ったところ、量子井戸からと考えられるサテライトピークとともに、６回対称の Crystal Truncation Rod 散乱が観察された。このことは、量子殻の側面が原子層オーダで平滑であるとともに、Ｘ線ナノビームが量子殻側面に照射されていることを示している。また、量子井戸のサテライトと同定したピークより、量子井戸幅と障壁層幅を加えた周期が 11.7 nm と見積もられた。さらに、下地の歪を無視すると、量子井戸の In 組成が x = 19.8 % と見積もられた。