高さ 1.4 μm 太さ 450 nm の六角柱形状の GaN ナノワイヤ側壁
m 面 (1
100) に成長した Ga
1-xIn
xN/GaN 三重量子井戸(Ga
1-xIn
xN/GaN 三重量子殻)を、集束イオンビーム加工により3本に抽出後、SPring-8 のX線マイクロビームを量子殻の側壁に照射して回折測定を行った。その結果、1
100 回折の逆格子マップにおいて、GaN のみならず Ga
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xN/GaN 三重量子殻からのサテライト信号も観測され、複数本を抽出した量子殻の構造評価も可能であることを示した。
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