集束イオンビームにより抽出した Ga_1-xIn_xN/GaN 三重量子殻に対するＸ線マイクロビーム回折

抄録

　高さ 1.4 μm 太さ 450 nm の六角柱形状の GaN ナノワイヤ側壁 m 面 (1100) に成長した Ga_1-xIn_xN/GaN 三重量子井戸（Ga_1-xIn_xN/GaN 三重量子殻）を、集束イオンビーム加工により３本に抽出後、SPring-8 のＸ線マイクロビームを量子殻の側壁に照射して回折測定を行った。その結果、1100 回折の逆格子マップにおいて、GaN のみならず Ga_1-xIn_xN/GaN 三重量子殻からのサテライト信号も観測され、複数本を抽出した量子殻の構造評価も可能であることを示した。