放射光Ｘ線表面回折法による SiC 熱分解過程の表面構造変化の解明

抄録

　単結晶 SiC 表面の熱分解現象を用いたエピタキシャルグラフェン成長法 (SiC 熱分解法) によるグラフェンの成長機構解明を目指し、Ｘ線表面回折法によるグラフェン成長その場観察法の開発とそれによる SiC 熱分解法グラフェン成長の実時間観察を試みた。放射光その場観察用のグラフェン成長炉として、ハロゲンランプの集光による昇温機構を搭載した 2000℃ まで加熱することができる双楕円集光小型加熱炉を開発し、それを利用した 4H-SiC(0001) 基板上に熱分解で成長するグラフェンの微小角入射Ｘ線散乱（GIXD）によるその場観察を試みた。多層化グラフェン成長を観測することができたが、目的であったバッファー層からのグラフェン成長の観察には至らなかった。バッファー層からのグラフェン成長の観測のためには、成長条件の詳細な制御方法を確立する必要がある。