硬Ｘ線光電子分光に適用可能な可変磁場印加機構の開発

抄録

　硬Ｘ線光電子分光 (HAXPES) 計測の適用試料の拡大のために、可変磁場印加機構を開発した。開発した機構では、ネオジム永久磁石の向きを変えることで、試料上での磁場強度を変化させることが可能である。本機構を用いて Cr/Co 多層膜試料の HAXPES スペクトルの磁気円二色性測定を行うことにより、試料上での磁場強度を変化できることを実証した。本実験のセットアップは磁性多層膜だけでなく、一般的な非磁性体試料にも適用可能であり、磁場印加 HAXPES 計測の可能性を大きく拡大する。