高輝度赤外放射光を利用した半導体ナノワイヤ中の極微量ドーパント不純物の電子状態評価

抄録

レーザーアブレーション法により成長した Si ナノワイヤ中の不純物の顕微赤外分光を行った。B ドープ Si ナノワイヤの場合において、約 624 cm^-1の位置に B の局在振動ピークを検出することに成功した。更に、約 468、806、1085、1200 cm^-1 の位置には、Si ナノワイヤの表面酸化膜中の酸素に関する振動を観測できた。通常の赤外分光ではナノ構造体中の不純物分光は困難であるが、SPring-8赤外放射光の高輝度性を生かすことで実現できた成果といえる。