GaN/GaInN薄膜の格子ひずみとIn組成のμmオーダ分布解析

抄録

発光デバイスに用いられる GaN/GaInN 薄膜では、In 組成むらや格子ひずみ分布が発光特性に影響を及ぼすと考えられている。このことを実験的に検証することを目的として、マイクロビームを用いたX線回折測定による格子ひずみ解析と蛍光X線測定による In 組成解析を行った。その結果、場所による In 組成および格子ひずみの変化が明らかになった。