X線吸収微細構造法を用いた有機金属気相成長法により成長した Sb添加GaN中のSb原子近傍の局所構造解析

抄録

低抵抗 p 型伝導性制御を期待される高品質の窒化物系混晶半導体 GaN_1-xSb_x を実現する目的で、有機金属気相成長法で成長した Sb 添加 GaN 中の Sb 原子近傍の局所構造をX線吸収微細構造法で評価した。その結果、Sb 原子近傍の動径分布関数が、GaSb 基板のものとは異なり、第一近接原子である Ga の信号も一致しなかったことから、Sb 添加 GaN 中のほとんどの Sb は GaN 中の V 族元素の N 原子を置換していないと考えられる。