光電子ホログラフィー法による強磁性半導体Ge0.6Mn0.4Teの原子構造解析

八方 直久; 仙波 伸也; 松下 智裕; 細川 伸也; 林 好一; 松井 文彦; 大門 寛

doi:10.18957/rr.8.1.5

Section A

光電子ホログラフィー法による強磁性半導体Ge_0.6Mn_0.4Teの原子構造解析

八方直久, 仙波伸也, 松下智裕, 細川伸也, 林好一, 松井文彦, 大門寛

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キーワード: 光電子ホログラフィー, 強磁性半導体, スピントロニクス材料, 2011B1142, BL25SU

ジャーナルオープンアクセス

2020 年 8 巻 1 号 p. 5-9

DOI https://doi.org/10.18957/rr.8.1.5

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抄録

強磁性半導体 Ge_1-xMn_xTe の光電子ホログラム測定を行った。948 eV の励起光に対して、運動エネルギーが 900 eV の光電子放出強度の角度分布を測定して、Te 4d 光電子回折パターン（光電子ホログラム）の取得に成功した。得られたホログラムより Te 周辺の原子像を再生したところ、Te のサイトに原子位置の揺らぎがあることが分かった。この結果は蛍光X線ホログラフィーの結果と一致する。

責任著者(Corresponding author)

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