抄録
リチウム（Li）金属負極の電析時の樹上成長の抑制を主目的とし、シリコン（Si）を代表とした Zintl 元素を微量に Li 金属に添加することができないか検討してきた。本報告では、過剰な Li と少量の Si の単純な接合を可能な限り清浄な環境で形成した場合に、室温で起こる界面反応について報告する。Li/Si 接合では、室温で合金化（ここでは化合物化）が急速に進み、膜厚 100 nm の Si すべてが Li:Si（モル比）が約 4:1 の最も Li リッチな化合物相に変換され、余剰 Li は金属 Li としてその表面に堆積する現象が確認された。界面における相互拡散をより詳細に調べるためには冷却可能で、かつ Li や Si の蒸着源を備えた硬X線光電子分光（HAXPES）は有用であると考えられる。
