放射光トポグラフィによる大口径窒化ガリウム基板の評価

抄録

　縦型 GaN パワーデバイスは大電力動作が可能であり、大電流容量への適用のメリットがある。ただし耐圧確保の課題が残っており、素子内に悪影響を及ぼす転位が含まれないことが求められる。今回、ポイントシード法による種結晶を用いた Na フラックス法によって、GaN 基板の高品質化と大口径化を同時に試みた。放射光トポグラフィを用いて非破壊で転位密度を評価し、市販のハイドライド気相成長基板よりも1桁低い転位密度であることが分かった。