抄録
窒化物半導体 LED（Light Emitting Diode）の特性向上において、発光層である InGaN の局所構造を把握することは非常に重要であり、これまでも XAFS（X-ray absorption fine structure）法による解析が進められてきた。一方、InGaN/GaN 超格子中の Ga 原子周辺の局所構造解析は GaN バッファー層の影響が大きく、超格子中に存在するGa原子のみの局所構造を解析することは困難である。そこで、結晶学的サイト選択性を有する DAFS（Diffraction anomalous fine structure）法を利用し、窒化物半導体の測定を試みた。今回は予備検討として、AlN バッファー層上に成長した AlGaN 層を測定し、蛍光 XAFS 法で解析した結果と比較することにより本手法の可能性を検討したので報告する。
