イオンビーム照射によるSiC表面上カーボンナノチューブ生成制御に関する研究

抄録

本研究ではカーボンナノチューブ(CNT)の生成方法として、SiC表面分解法を用いた。SiC表面分解法は触媒が不要で、真空中でSiC単結晶を熱処理するだけでCNTが生成できる方法である。CNTの生成には、SiCの構造が関係していると考えられている。そこで、本研究では熱処理前の試料表面にArイオンを照射して、表面の構造を変化させて熱処理を行い、TEMを用いて観察し、イオンを照射することによるCNT生成への影響を調べた。