Ｆｅナノドットの磁気抵抗効果

抄録

近年の磁気記憶媒体の高密度化に伴い、ナノスケールでの磁性体の磁区構造の解明が強く望まれている。 今回我々は、電子ビーム蒸着法によりＧａＮ基板上にＦｅを蒸着し、Ｆｅナノドットを形成した。そして、ＳＰ―ＳＴＭ（スピン偏極走査型トンネル顕微鏡）を用いて表面磁性を観察しながら、形成したＦｅナノドットの磁気抵抗の計測を試みた。