交流表面光電圧法によるSi(100)表面におけるCrショットキー障壁からCr誘起負電荷への変化の検討

抄録

Ｃｒ汚染したｎ型Ｓｉウェーハは、Ｃｒ（ＯＨ）_３/ｎ－Ｓｉショットキー障壁が形成され、ＡＣ ＳＰＶ（交流表面光電圧）が発生する。長時間の室温での大気放置あるいは短時間の１００℃の熱酸化では、ＡＣ ＳＰＶは徐々にショットキー障壁の崩壊を示す。１００℃で長時間熱酸化したｎ型及びｐ型Ｓｉ表面では、（ＣｒＯＳｉ）^－あるいは（ＣｒＯ_２）^－ネットワークを形成しＣｒ誘起負電荷の発生を明らかにする。