周波数依存交流表面光電圧法に基づく熱酸化したSi(100)ウェーハにおけるFe誘起負電荷の検証

抄録

　n型SiウェーハをFe溶液で故意汚染して大気放置すると放置時間に伴い金属誘起負電荷、即ち(FeOSi)^－
ネットワークが形成されるモデルが提案されている。
　本報告では100 ℃以上で熱酸化した場合ネットワークが生き残ることを確認し、さらにp型のSiを用いて
負電荷の存在を実証する。